| 代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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存储的涨价潮仍在持续!
2月9日 ,市场研究公司Counterpoint表示,截至2026年第一季度,内存价格环比上涨80%—90% ,迎来前所未有的创纪录暴涨 。
另外,高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期,并发出警告称 ,市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。而在几天之前,TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季度增长幅度,预估整体Conventional DRAM合约价将从1月初公布的季增55%—60%,改为上涨90%—95%。
今日 ,在韩国证券市场上,存储芯片概念股集体大涨,SK海力士涨近6% ,三星电子涨近5% 。在A股市场上,存储芯片概念股也集体走强,炬光科技涨超17% ,国芯科技涨超12%,复旦微电涨近10%,兆易创新 、长电科技等涨超6%。
一季度内存价格飙升90%
Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》显示 ,截至2026年第一季度,内存价格环比上涨80%—90%,本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外 ,去年第四季度表现相对平稳的NAND闪存,在第一季度也同步上涨80%—90% 。叠加部分HBM3e产品价格走高,市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。
以服务器级内存为例,64GB RDIMM合约价已从去年第四季度的450美元 ,飙升至第一季度的900美元以上,且二季度有望突破1000美元关口。高级分析师Jeongku Choi指出:“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025年第四季度,DRAM营业利润率已达到60%区间 ,这是通用DRAM利润率首次超过HBM 。2026年第一季度,DRAM利润率将首次突破历史峰值。尽管如此,这一水平要么成为新的常态 ,要么形成极高的基准——当前看似稳固,但一旦进入下一轮下行周期(若发生),市场表现可能会更加惨淡。 ”
此外 ,TrendForce集邦咨询最新数据显示,受惠于AI浪潮的推升,存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创下新高 。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响 ,产值规模大幅扩张至5516亿美元。尽管晶圆代工产值同步创下2187亿美元的新高纪录,但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的2倍以上。
上一次存储器超级循环落在2017—2019年,主要由云端数据中心建置需求所驱动,存储器产值当时也与晶圆代工拉开了显著差距 。然而 ,此次由AI需求驱动的循环与前一次相比,缺货的状况更为全面。AI产业重心由模型训练转向大规模推理应用,更强调实时响应能力与数据存取效率 ,带动服务器端对高容量、高带宽DRAM的需求持续扩大,单机搭载容量亦同步提升。除此之外,英伟达在Vera Rubin平台的推广中 ,强化了对高效能存储的需求,提升Enterprise(企业级)SSD的重要性 。为了在Token生成效能与成本之间取得平衡,业者正加速采用大容量QLC SSD以应对海量数据存取。
另一方面 ,客户的需求也已显著改变,不同于过去以终端客户为主,此次抢货潮由CSP(云端服务供应商)拉动 ,不仅采购量呈指数级成长,对价格的敏感度相对较低,使得价格涨幅同样超越前一次超级循环,并创下新纪录。
此前 ,TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM 、NAND Flash各产品价格季成长幅度,预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55%—60%,改为上涨90%—95% ,NAND Flash合约价则从季增33%—38%上调至55%—60%,并且不排除仍有进一步上修空间 。
高盛大幅上调存储芯片供需缺口预期
知名投行高盛在2月8日的报告中表示,2026—2027年全球存储器市场将经历历史上最严重的供应短缺之一 ,DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。
高盛最新预测显示,2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%,远超此前预期的3.3%和1.1%。其中 ,2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。
驱动这一紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长 。高盛将2026年/2027年服务器DRAM(不含HBM)需求预期上调6%/10%,预计这两年的增长率将分别达到39%和22%。如果将HBM计算在内,服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57% ,服务器已成为DRAM需求最重要的驱动力。不过,高盛下调了PC和智能手机的DRAM需求预期 。
NAND市场的供需格局同样大幅收紧。高盛预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%,高于此前预期的2.5%/1.2%,这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。其中 ,企业级SSD需求的强劲增长是主要推动力 。高盛将2026年/2027年企业级SSD需求预期上调14%/14%,预计增长率将达到58%/23%,在全球NAND需求中的占比将升至36%/39%。
银河证券指出 ,1月份,存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势,DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调 ,其中NAND闪存供应价格上调超100%,DRAM价格涨幅达60%—70% 。涨价核心驱动因素包括:AI服务器对HBM需求爆发 、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等,供需缺口持续扩大 ,预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。当前时点,是存储芯片赛道下一轮周期的新起点,在AI服务器需求高速增长叠加国产替代 ,看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。
招商证券表示,2026年一季度以来各类存储产品价格环比急剧上涨,目前在能见度范围内今年存储价格持续上涨可期,同时2026年全球新增供给有限 ,预计存储紧缺趋势将延续至2027年 。在价格与需求共振情况下,今年海内外存储将迎来业绩释放大年,后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点 ,建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司。
(文章来源:券商中国)
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